太阳能电池材料直拉单晶硅的制造工艺
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准单晶硅技术介绍
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为了进行GaN单晶的生长实验而投入到专用MOCVD装置的设计和制作中的人员之一是1982年进入赤崎研究室、当时还是学生的天野(图)。尚无人取得成功的pn结蓝色LED的研究激起了天野的挑战欲望,于是他叩响了赤崎研究室的大门。天野回顾了制作MOCVD装置时的情景:
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智能穿戴电子产品需要将处理器、GPU、记忆体、I/O与通讯功能全部挤进单晶片,必然要利用硅穿孔(TSV)的晶片堆叠技术来达到理想的元件整合度。随着未来智能穿戴设备日益普及,TSV相关产品和材料市场面临爆发式增长机会。TSV技术达到世界先进水平的山海新阳必然带来新一轮的增长。
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硅单晶掺杂非常均匀以及硅单晶的目标电阻率可以通过辐照剂量加以很好地控制,伴随热中子的捕获,高能量的快中子与硅晶格院子发生碰撞,而产生大量的辐照缺陷和损伤,这些辐照缺陷和损伤对硅材料和器件的电学性能产生很大影响。
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切片是把单晶硅由晶棒变成硅片的一个重要工序,切片表面质量,直接影响着后续工序的工作量和成本。
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单晶炉工艺若干问题详解
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籽晶法生长高温合金单晶凝固界面研究概述
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本文介绍了4Crl3籽晶秆的热处理,要论了影响淬火变形以及表面变形的因素。
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太阳能电池已经有30多年的发展历史。目前世界各国研制的硅太阳能电池种类繁多;主要系列有单晶、多晶、非晶硅几种。其中单晶硅太阳能电池占50%,多晶硅电池占20%、非晶占30%。
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单晶硅太阳能电池板规格及电性能参数表格
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单晶硅太阳能电池检验标准分析
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单晶设备工艺培训资料
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单晶硅棒在拉制中的影响因素是什么?
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单晶硅棒切片工艺详细流程介绍……
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